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IRF3710PBF

厂商名称：英飞凌

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管,MOSFET,N沟道,100 V,46 A,0.023 ohm,TO-220AB,通孔

英文描述：

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

数据手册：

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IRF3710PBF概述

IRF3710PBF是一款100V单N通道高级HEXFET®功率MOSFET，它利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。这种好处与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，可用于多种应用。

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态dV/dt额定值

完全雪崩等级

175°C工作温度

应用

电源管理

IRF3710PBF中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	57 A	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	100 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	TO-220AB	最低工作温度	-55 °C
安装类型	通孔	系列	HEXFET
引脚数目	3	高度	8.77mm
最大漏源电阻值	23 mΩ	晶体管材料	Si
通道模式	增强	长度	10.54mm
最大栅阈值电压	4V	典型栅极电荷@Vgs	130 nC @ 10 V
最小栅阈值电压	2V	宽度	4.69mm
最大功率耗散	200 W	最高工作温度	+175 °C